اس اس دی سامسونگ 860EVO 1TB

نسل جدید درایوهای پرفروش کمپانی سامسونگ موسوم به سری EVO اینبار در قالب خانواده 860 EVO و به منظور رفع نیازهای سیستم های PC و دستگاههای لپتاپ روانه بازار شده اند. محصولات این خانواده با بهره گیری از نسل جدید حافظه های V-NAND در کنار کنترلر هوشمند کمپانی سامسونگ و با ارائه ظرفیتهای مختلف بر روی سه استاندارد SATA/M.2/mSATA امکان مدیریت حجم بالای اطلاعات را به صورت شناور و با حداکثر ضریب ایمنی در اختیار کاربران قرار میدهند.

ساختار سخت افزاری و نوع پیکربندی درایوهای جامد 860 EVO بگونه ای بهینه سازی شده است که عملکرد مطلوب و سرعت تبادل اطلاعات در حین پردازش فعالیتهای مختلف حفظ میگردد. از طرف دیگر با بهره گیری از تکنولوژی هوشمند TurboWrite و افزایش ظرفیت حافظه موقت از 12 گیگابایت به 72 گیگابایت، سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات تا ارقام 550 و 520 مگابایت در ثانیه افزایش یافته و جابجایی اطلاعات با سرعت بیشتری صورت میپذیرد.

عملکرد شناور، حفظ پایداری و ظرفیت نوشتاری (TBW) از جمله مهمترین فاکتورهای مورد استفاده در ارزیابی درایوهای جامد محسوب میشوند که این امر در زمان ذخیره سازی و پردازش تصاویر سه بعدی و محتوای 4K از اهمیت بسیار بالایی برخوردار خواهد بود. استفاده از نسل جدید تکنولوژی V-NAND میزان ظرفیت نوشتاری درایوهای 860 EVO را در مقایسه با درایوهای 850 EVO به میزان 8 برابر افزایش داده است تا کاربران بتوانند با خیالی آسوده به انجام امور مختلف خود بپردازند.

+ سازگاری کامل با طیف وسیع سیستم های کامپیوتری

+ الگوریتم پیشرفته تصحیح کدهای خطا (ECC)

+ کنترلر پیشرفته و قدرتمند MJX

+ پشتیبانی از قابلیت TRIM و افزایش هماهنگی درایو جامد با سیستم عامل Linux

محصولات خانواده 860 EVO با ارائه ظرفیتهای متنوع بر روی سه استاندارد SATA/M.2/mSATA، حق انتخاب و تنوع بسیار گسترده ای از درایوهای جامد را در اختیار طیف وسیعی از کاربران سیستم های کامپیوتری قرار داده اند.

جادوگر سامسونگ

+ محیط کاربری ساده همراه با ابزارهای متنوع

+ مدیریت سریع و آسان

+ اطلاع از جدیدترین نسخه رابط نرم افزاری درایو (Firmwire) با قابلیت بروزرسانی آسان

+ ارزیابی دقیق سرعت درایو به منظور کسب حداکثر پایداری در استفاده طولانی مدت

+ افزایش ضریب ایمنی و بهبود امنیت اطلاعات ذخیره شده با استفاده از کدگذار سخت افزاری AES و روشهای TCG Opal و IEEE 1667

مشخصات فنی مدل 1 ترابایتی :

استاندارد 2.5 اینچی مبتنی بر رابط SATA III

ابعاد : 100 × 69.85 × 6.8 میلیمتر

وزن : 60 گرم

حافظه های چند سطحی V-NAND با ساختار 3 بیتی

کنترلر MJX

1024 مگابایت حافظه کَش DDR4

پشتیبانی از دستور TRIM، قابلیت S.M.A.R.T و حالتهای WWN و Device Sleep

هماهنگی کامل با الگوریتم جمع آوری اطلاعات زائد (GARBAGE COLLECTION)

سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات : 550 و 520 مگابایت در ثانیه

سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD32 Random 4KB به ترتیب 980000 و 90000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)

سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD1 Random 4KB به ترتیب 10000 و 42000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)

متوسط و حداکثر توان مصرفی به ترتیب 3 و 4 وات

عمر مفید 1.5 میلیون ساعت (MTBF)

امکان استفاده در بازه دمایی 0 تا 70 درجه سانتیگراد

ظرفیت نوشتاری 600 ترابایت (TBW)